Tag Archives: 本文将Si衬底上成长的GaN内涵膜经过电镀的办法转移到了铜撑持基板、铜铬撑持基板和经过压焊的办法转移到Si撑持基板上,取得了垂直构造发光器件,并对三种样品进行了老化比照钻研。